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杭州富加鎵業(yè)科技有限公司始終堅持產(chǎn)業(yè)化導(dǎo)向，繼突破導(dǎo)模法（EFG）6英寸導(dǎo)電型、絕緣型襯底生長技術(shù)及EFG“一鍵長晶”裝備后，2024年7月，基于模擬仿真技術(shù)成功研制了氧化鎵坩堝下降法（VB）長晶裝備，并實(shí)現(xiàn)了3英寸氧化鎵單晶生長。
在國內(nèi)外同行重點(diǎn)關(guān)注氧化鎵單晶材料研制的同時，杭州富加鎵業(yè)科技有限公司（以下簡稱富加鎵業(yè)）提前布局氧化鎵外延技術(shù)攻關(guān)。在國家重點(diǎn)研發(fā)計劃“大尺寸氧化鎵半導(dǎo)體材料與高性能器件研究”項目支持（項目編號：2022YFB3605500）支持下，研制了高性能MBE外延片，并與國家重點(diǎn)研發(fā)計劃項目器件團(tuán)隊合作，成功制備了擊穿電壓大于2000V，電流密度為60 mA/mm的MOSFET橫向功率器件，與進(jìn)口同類型外延片制備器件性能相當(dāng)。
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